英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
judy-- 周三, 03/20/2024 - 10:32
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低,它们的效率很高,因此可以实现高功率密度