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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？

现代工业对电力电子设备提出了很多要求：体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆，SiC与Si之间的成本差距正在收窄，在整车系统总体成本反而有明显的优势。SiC MOSFET替代Si... 阅读详情

2021-12-07 |

【科普小贴士】按结构分类的MOSFET特性摘要

基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。高电流：与低导通电阻的趋势相同。高速：U-MOS由于栅极容量（Ciss）大，不利于高速开关。根据产品的不同，利用低导通电阻特性，具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。

2021-12-06 |

测量电感电流的最佳方法是什么？

文章来源：亚德诺半导体开关电源通常使用电感来临时储能。在评估这些电源时，测量电感电流通常有助于了解完整的电压转换电路。但测量电感电流的最佳方法是什么？图1以典型的降压型转换器（降压拓扑）为例，显示了针对这类测量的建议设置。接入一根辅助小电缆与电感串联。将它用来连接一个电流探头，并通过示波器显示电感电流。建议在电感具有稳定电压的那一侧进行测量。大多数开关稳压器拓扑使用电感的方式是，... 阅读详情

2021-12-06 |

快速制作PCB中的秘密

作者：卓晴，来源：TsinghuaJoking 简介：如果你是一个急性子的电子狂热者，那么快速PCB制作是一个可以让你把硬件开发变得和软件开发一样容易的技术。掌握它，可以事半功倍，抚平你那躁动的狂野心灵。 01 提问卓老师，我想问哈。可以给我们做一期关于:如何快制作pcb板。这样更有利于节能组测试。

2021-12-06 |

作者：卓晴，来源：TsinghuaJoking 简介：近期看到Robin Kearey的一篇博文 SMALLER IS SOMETIMES BETTER: WHY ELECTRONIC COMPONENTS ARE SO TINY[1] ，详细分析了电子器件的微型化所带来的影响。如果你还在想疯狂压缩电路体积的话，看看他的分析也许会让你冷静下来。也许在电子领域中能够排在欧姆定律[2] 之后... 阅读详情

2021-12-03 |

高速信号是否需要包地处理

作者：陈虎，来源：凡亿PCB 当我们在做高速PCB设计时，很多工程师都会纠结于包地问题，那么高速信号是否需要包地处理呢？首先，我们要明确为什么要包地？包地的作用是什么？实际上，包地的作用就是为了减小串扰，串扰形成的机理是有害信号从一个线网转移到相邻线网。

2021-12-03 |

【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）

（1）SJ-MOS在N层具有柱状P层（P柱层）。P层和N层交替排列。（参见图3-9（b））（2）通过施加VDS，耗尽层在N层中扩展，但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。（关于电场强度，参见图3-9（a）／（b）。电场强度将表示耗尽层的状态。（3）如果是D-MOS的情况，电场强度在P／N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时，会发生击穿现象，这就是电压极限。另一方面，... 阅读详情

2021-12-01 |

电源时序规格：电源导通时的时序工作

文章来源：罗姆半导体集团本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中，电源导通时的时序工作。电源时序规格①：电源导通时的时序工作

2021-12-01 |

二极管的前世今生

作者：卓晴，文章来源：TsinghuaJoking 简介：这是Steven Dufresne的一篇博文HISTORY OF THE DIODE[1] ，讲解了二极管的简要发展历史。这让我们也认识的，很多的发现都存在着偶然性，往往需要等到很多年之后才能够找到用场。二极管的历史充满着各种偶然发现造就的乐趣，也有的发现直到几十年之后被派上用场。让我们先谈谈两个话题：热电子发射以及半导体二极管... 阅读详情

2021-12-01 |

EMC抗扰度之慢上升沿信号

作者：李义君，来源：韬略科技EMC 在EMC的设计与处理中，工程师们都注重快速变化的信号，因为这些信号的上升沿时间非常短，从频谱分析的角度来说，信号中会有更多的高频谐波，导致EMC设计变得困难。而且，快上升沿信号使反射、串扰、电磁辐射、地弹等问题变得更严重，噪声问题更难于解决。下图为梯形脉冲波形的时域波形和频谱包络线；A=幅度，tr=上升沿时间，τ=平均宽度。... 阅读详情

2021-11-30 |

【科普小贴士】MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案

针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻” （1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。图3-8影响MOSFET导通电阻的因素

2021-11-30 |

秒懂晶振以及晶振电路

在单片机中晶振是普遍存在的，那么晶振为什么这么必要，原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路，所以单片机就很需要晶振，打个比方来说：晶振好比单片机的心脏，如果没有心脏起跳，单片机无法工作，晶振值越大，单片机运行速度越快，有时并不是速度越快越好，对于电子电路而言，速度够用就是最好，速度越快越容易受干扰，可靠性越差！下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。晶振，... 阅读详情

2021-11-29 |

大功率二极管晶闸管知识连载——控制特性

本文转载自：英飞凌工业半导体功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS，交流静态开关，SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。 3.3 晶闸管的控制性质 3.3.1、正门极控制 3.3.1.1、门级电流iG... 阅读详情

2021-11-29 |

教你几种电路分析的高效方法

对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义。现就具体电路采用不同方法进行如下比较。 01支路电流法支路电流法是以支路电流为待求量，利用基尔霍夫两定律列出电路的方程式，从而解出支路电流的一种方法。一支路电流分析步骤 1) 假定各支路电流的参考方向，对选定的回路标出回路绕行方向... 阅读详情

2021-11-29 |

【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻RDS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，... 阅读详情

2021-11-26 |