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SiC MOSFET的桥式结构

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。

2022-01-13 |SiC-MOSFET,桥式结构

随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

2022-01-13 |开关电源,元器件

本文介绍了LDO的基本概念以及LDO噪声。

2022-01-13 |LDO噪声

欧洲新车安全评鉴协会(NCAP)近期更新了其雷达标准，以便在新车中改善驾驶辅助功能。NCAP标准因地区而异；在美国，NCAP由国家公路交通安全管理局（又称为NHTSA）管理，而全球NCAP则是一个集中型组织。但是，所有组织都有着共同的目标

2022-01-12 |ADAS,NCAP雷达

关于三极管，我相信每个搞硬件的应该都有看过基本原理，现在我们算是温故而知新，那么最好是带着问题去看。

2022-01-12 |三极管

电压跟踪器是一种向 VOUT 引脚输出电压的 IC，该电压等同于输入到 ADJ 引脚的电压 (VADJ)。它被称为电压跟踪器，是因为它跟踪 ADJ 引脚的电压输入。这种 IC 主要用作分离式传感器的电源。

2022-01-11 |电压跟踪器,S-19720

从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。

2022-01-11 |SiC,功率元器件

硬件工程师，应该都用过二极管的吧，不过也许有一个误区，大多数人可能并不知道，或者说是理解有问题，下面就来细细说下。

2022-01-10 |二极管

在平时中，我个人经常遇到的推挽电路是第一种。当我每次问身边的工程师：“为什么不选择使用第二种？第二种是上P下N型，这样的管子在实际中用起来，理论中比上N下P型更有优势呀。

2022-01-10 |推挽电路

近日，来自Yole Développement及其旗下咨询公司System Plus Consulting的两位分析师共同对谷歌最新推出的5G Pixel 6进行了拆解和研究

2022-01-07 |Pixel-6,FD-SOI,5G毫米波

电源设计者如今面临两个主要问题：消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热，并带来后续必须解决的干扰难题

2022-01-07 |HiperPFS-4,有源功率因数,二极管

在本篇文章中，我将从不同方面深入介绍降压、升压和降压-升压拓扑结构。

2022-01-07 |拓扑结构

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。

2022-01-06 |电路设计,欧姆电阻

我们的Digi-Key工程师经常收到客户这样的问题：如何从没有额定电压标记的铝电解电容上确认它的额定电压?

2022-01-06 |电容,额定电压

本文中的光耦振荡电路则是利用了电流转移系数大于1所带来的电流增益而工作的。通过对PC851、TLP521的电流转移系数的测量，获得了它们电流增益随着工作电流不同变化情况，也验证了光耦震荡电流的工作原理。

2022-01-05 |光耦,电流转移系数