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IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么?
作者:赵佳,来源:英飞凌工业半导体 在IGBT数据手册中,显眼的位置都会给出最大额定电压的定义,例如: FF450R12ME4中关于最大额定电压的定义 我们常常被告诫:实际应用中,IGBT集电极电压绝对不能超过额定值,否则器件有可能被击穿。
2021-12-09 |
电感的Q值是什么?几句话,给你讲明白
文章来源: 得捷电子DigiKey 问:电感(线圈)的Q值 Q值是指示电感质量的参数。“Q” 代表 “品质因子” 。线圈通直流电,但充当交流电的电阻,称为感抗。交流电的频率越高,感抗就越高。 要计算线圈的Q值,请使用以下公式:
2021-12-09 |
大功率二极管晶闸管知识连载——损耗
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器,UPS,交流静态开关,SVC和电解氢等场合,但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解,为此我们组织了6篇连载,包括正向特性,动态特性,控制特性,保护以及损耗与热特性。内容摘来自英飞凌《双极性半导体技术信息》。 3.5 功率耗散(损耗) 对晶闸管和二极管而言,耗散(或损耗)分为断态、通态、开通和关断损耗这几类。晶闸管还有控制损耗。...
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2021-12-08 |
电池充电器的反向电压保护
作者:Steven Martin,电池充电器设计经理,ADI公司 引言 处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管,但是由于二极管正向电压的原因,这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁,但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的,因为电池在充电时必须吸收电流,而在不充电时则须供应电流。 另一种方法是使用图1所示的MOSFET电路之一。 图1:...
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2021-12-07 |
【科普小贴士】什么是光耦?
当信号从输入侧传输至输出侧时,光耦是一种即使在电气隔离状态下也能在电路之间传输信号的器件。在光耦内部,通过使用发光器件将电输入信号一次转换为光信号,然后使用光电检测器件将光信号转换为电信号之后再将其输出。在FA、OA以及家用电子设备中,不同的直流和交流电源系统均安装在同一块电路板中,信号在这些系统之间传输。如果直接连接这些系统,操作时可能会出现安全问题。通过使用光耦,即使在这种情况下,...
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2021-12-07 |
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压?
现代工业对电力电子设备提出了很多要求:体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求,Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺点就是价格。但随着良率的提升和采用更大尺寸的晶圆,SiC与Si之间的成本差距正在收窄,在整车系统总体成本反而有明显的优势。SiC MOSFET替代Si...
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2021-12-07 |
【科普小贴士】按结构分类的MOSFET特性摘要
基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。 耐受电压:选择目标耐受电压的最佳结构。 低导通电阻:U-MOS适用于250V及以下产品,SJ-MOS(或DTMOS)适用于大于250V的产品。 高电流:与低导通电阻的趋势相同。 高速:U-MOS由于栅极容量(Ciss)大,不利于高速开关。 根据产品的不同,利用低导通电阻特性,具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。
2021-12-06 |
测量电感电流的最佳方法是什么?
文章来源: 亚德诺半导体 开关电源通常使用电感来临时储能。在评估这些电源时,测量电感电流通常有助于了解完整的电压转换电路。但测量电感电流的最佳方法是什么? 图1以典型的降压型转换器(降压拓扑)为例,显示了针对这类测量的建议设置。接入一根辅助小电缆与电感串联。将它用来连接一个电流探头,并通过示波器显示电感电流。建议在电感具有稳定电压的那一侧进行测量。 大多数开关稳压器拓扑使用电感的方式是,...
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2021-12-06 |
快速制作PCB中的秘密
作者: 卓晴,来源:TsinghuaJoking 简 介: 如果你是一个急性子的电子狂热者,那么快速PCB制作是一个可以让你把硬件开发变得和软件开发一样容易的技术。掌握它,可以事半功倍,抚平你那躁动的狂野心灵。 01 提问 卓老师,我想问哈。可以给我们做一期关于:如何快制作pcb板。这样更有利于节能组测试。
2021-12-06 |
元器件越小越好吗?
作者:卓晴,来源:TsinghuaJoking 简 介: 近期看到Robin Kearey的一篇博文 SMALLER IS SOMETIMES BETTER: WHY ELECTRONIC COMPONENTS ARE SO TINY[1] ,详细分析了电子器件的微型化所带来的影响。如果你还在想疯狂压缩电路体积的话,看看他的分析也许会让你冷静下来。 也许在电子领域中能够排在 欧姆定律[2] 之后...
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2021-12-03 |
高速信号是否需要包地处理
作者:陈虎,来源:凡亿PCB 当我们在做高速PCB设计时,很多工程师都会纠结于包地问题,那么高速信号是否需要包地处理呢? 首先,我们要明确为什么要包地?包地的作用是什么? 实际上,包地的作用就是为了减小串扰,串扰形成的机理是有害信号从一个线网转移到相邻线网。
2021-12-03 |
【科普小贴士】MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
(1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b)) (2)通过施加VDS,耗尽层在N层中扩展,但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中不同。(关于电场强度,参见图3-9(a)/(b)。电场强度将表示耗尽层的状态。 (3)如果是D-MOS的情况,电场强度在P/N层接口处最强。当电场强度超过硅的极限时,会发生击穿现象,这就是电压极限。另一方面,...
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2021-12-01 |
电源时序规格: 电源导通时的时序工作
文章来源:罗姆半导体集团 本文先介绍使用通用电源IC实现电源时序控制电路中,电源导通时的时序工作。 电源时序规格①:电源导通时的时序工作
2021-12-01 |
二极管的前世今生
作者: 卓晴,文章来源:TsinghuaJoking 简 介: 这是Steven Dufresne的一篇博文HISTORY OF THE DIODE[1] ,讲解了二极管的简要发展历史。这让我们也认识的,很多的发现都存在着偶然性,往往需要等到很多年之后才能够找到用场。 二极管的历史充满着各种偶然发现造就的乐趣,也有的发现直到几十年之后被派上用场。让我们先谈谈两个话题:热电子发射以及半导体二极管...
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2021-12-01 |
EMC抗扰度之慢上升沿信号
作者:李义君,来源:韬略科技EMC 在EMC的设计与处理中,工程师们都注重快速变化的信号,因为这些信号的上升沿时间非常短,从频谱分析的角度来说,信号中会有更多的高频谐波,导致EMC设计变得困难。而且,快上升沿信号使反射、串扰、电磁辐射、地弹等问题变得更严重,噪声问题更难于解决。 下图为梯形脉冲波形的时域波形和频谱包络线;A=幅度,tr=上升沿时间,τ=平均宽度。...
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2021-11-30 |
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