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通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗

本文转载自：罗姆半导体集团本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因为再生时的实际功耗可能会大于估算值，在某些情况下可能会引发问题，所以需要注意。通过MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，功耗是否会大于计算值？当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，其功耗应该是寄生二极管的正向电压×... 阅读详情

2021-11-10 |

【科普小贴士】晶体管的类型

晶体管大致分为三种类型：双极型、场效应型和绝缘栅双极型。双极晶体管属于电流驱动器件。场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）属于电压驱动器件。文章来源：东芝半导体

2021-11-09 |

【干货分享】线路板板面起泡是怎么造成的？

线路板板面起泡其实是板面结合力不良的问题，再引申也就是板面的表面质量问题，这包含两方面的内容：板面清洁度的问题表面微观粗糙度（或表面能）的问题所有线路板上的板面起泡问题，都可以归纳为上述原因。镀层之间的结合力不良或过低，在后续生产加工过程和组装过程中难于抵抗生产加工过程中产生的镀层应力，机械应力和热应力等等，最终造成镀层间不同程度分离现象。

2021-11-09 |

电路噪声原来是这么回事

电路噪声对于电子线路中所标称的噪声，可以概括地认为，它是对目的信号以外的所有信号的一个总称。最初人们把造成收音机这类音响设备所发出噪声的那些电子信号，称为噪声。但是，一些非目的的电子信号对电子线路造成的后果并非都和声音有关，因而，后来人们逐步扩大了噪声概念。例如，把造成视屏幕有白班呀条纹的那些电子信号也称为噪声。可能以说，电路中除目的的信号以外的一切信号，不管它对电路是否造成影响，... 阅读详情

2021-11-08 |

【干货分享】这些“黑话”只有PCB设计制造内行人才懂！

▍Test Coupon：俗称阻抗条 Test Coupon，是用来以 TDR (Time Domain Reflectometer 时域反射计) 来测量所生产的 PCB 的特性阻抗是否满足设计的要求，一般要控制的阻抗有单端线和差分对两种情况，所以 test coupon 上的走线线宽和线距(有差分对时)要与所要控制的线一样，最重要的是测量时接地点的位置。为了减少接地引线(ground... 阅读详情

2021-11-08 |

想找一款几乎无损的高性能PMIC？这套PPT里有答案～

本文转载自： Murata村田中国近年来，5G和IoT市场的快速增长推高了数据中心和网络设备的功率密度极限，在这种情况下，布线及印刷电路板中的铜损已达到不容忽视的水平。为了提高系统效率、降低I2R损耗以合理化功率密度、以及解决母线排和连接器的问题，下一代系统中开始从当前的12V总线系统向48V架构迁移。从48V到12V的电压转换（下图），挑战在于不仅要保证高效率的同时，... 阅读详情

2021-11-05 |

消除VCR电阻电压系数影响，你该怎么做？

文章来源：得捷电子DigiKey 什么是电阻电压系数？本文就来回答这个问题。 VCR（电阻电压系数）定义为电阻在特定的电压变化范围内发生的变化。这意味着电阻值在不同电压下的稳定性。你（包括我自己）可能并没有意识到VCR的存在，但每个电阻在加载电压时都存在某种程度的不稳定性。对于电压电平稳定或可调节且可预测的应用而言，VCR不是问题。但对于电力输送系统或测试设备等其他应用而言，... 阅读详情

2021-11-05 |

【科普小贴士】各种二极管的特性应用

文章转载自：东芝半导体

2021-11-05 |

重负载时中开关元件工作相关的注意事项

关键要点・在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。・在PSFB电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0V，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。・在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。・即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。

2021-11-04 |

TI全新超级电容充放电一体化降压/升压转换器，可实现更低静态功耗

采用TI的全新DC/DC转换器，工程师可将低功耗工业应用中的电池寿命延长多达20% 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今天推出了一款新型双向降压/升压转换器，具有60nA的超低静态电流(IQ)，是同类竞品升压转换器IQ的三分之一。TPS61094 降压/升压转换器内部集成了降压型超级电容充电器和升压型DC-DC转换器，同时提供超低静态电流，... 阅读详情

2021-11-04 |

【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的金属差异

对于SBD而言，半导体由n型层组成，因此金属充当二极管的阳极。同样地，只有电子是载流子，SBD变成了类似MOSFET的单极元件。硅的能级不同于金属（能隙）。该能级因金属元素而异。符号ΦB用于表示不同的能隙。Pt（铂）是一种具有大能隙的金属。V（钒）或Ti（钛）是具有小能隙的金属。采用ΦB大的金属，泄漏电流小，但是正向电压VF大。采用ΦB小的金属，则情况相反。文章来源：东芝半导体

2021-11-04 |

IGBT和模块的标准体系解读

作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体正确理解IGBT和模块的标准体系，对了解产品特性，指导系统设计用足产品特性，符合规范很有帮助，熟悉标准的工程师会在系统设计中更游刃有余。 IGBT绝缘栅双极型晶体管是半导体产品，主要需要符合半导体标准，包括产品标准，测试标准及机械和气候试验方法标准等。功率模块是半导体的一种封装形式，通过内部芯片并联实现更大的标称电流，或设计成应用所需要的电路拓扑结构。... 阅读详情

2021-11-04 |

【科普小贴士】肖特基势垒二极管（SBD）的反向恢复特性

SBD的反向恢复时间（trr）由LC谐振电路根据结电容和外部接线的电感确定。（由于结电容几乎不受温度的影响，所以从室温到高温trr相同。）对于pn结二极管而言，trr会随着温度的升高而变长。所以SBD的开关特性越来越具优越性，适合用于高频开关。图2-10（a）反向电压施加于SBD时的等效电路

2021-11-03 |

IGBT的电流是如何定义的

作者：陈子颖，来源：英飞凌工业半导体 IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。流言一：450A IGBT模块最大输出电流能力是450A，系统设计中需要留足够的余量 450A是FS450R12KE4的标称电流。那么什么是标称电流？... 阅读详情

2021-11-03 |

“输入电解”和“输出电解”电容的详细计算

输入侧的电解电容计算我们一般按照在最低输入电压下，最大输出的情况下，要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然，如果有保持时间的要求，那么需要按照保持时间的要求重新计算，二者之中，取大的值。假如在最低输入电压下，电源的输入功率为Pin，最低输入交流电压有效值为Vinacmin，那么我们一般认为此时整流后的直流电压为Vinmin=1.2×Vinacmin，由于在交流两次充电周期间，... 阅读详情

2021-11-02 |