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MOSFET为什么有 “体二极管”
本文转载自: 硬件十万个为什么 我们在计算开关电源的时候,同步控制器的MOSFET下管的体二极管在死区时间的时候,会起作用。实现死区时间的续流。我们在计算开关电源的下管的损耗的时候,需要计算这个体二极管的损耗。 二极管导通损耗 如果是同步控制器,我们需要计算下管的体二极管在死区时间的导通损耗。如果是非同步控制器,我们则需要计算二极管的续流时间的所有损耗。
2021-10-13 |
运算放大器的绝对最大额定值(输入电流)
输入电流 在"差分输入电压"和"同相输入电压"中,输入低于VEE-0.3V或高于VCC+0.3V的电压时,电流可能流入或流出输入引脚,使IC特性退化或损坏。 防止发生此问题的方法有两种,一种是在输入引脚设置钳位用正向电压小型二极管,另一种是插入电阻,限制输入引脚中流动的电流。 第一种方法是限制输入IC的电压,第二种方法是限制电流。 请设置电阻使输入电流小于10mA。VF是二极管的正向电压,约为0...
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2021-10-12 |
PCB板中哪些因素会造成损耗变大
作者:蒋修国,来源:信号完整性 编者注:本文的内容其实比较简洁,前面两个因素结合ADS仿真原理图给大家介绍,有兴趣的也可以照着做做。很多总线都会给处损耗的要求,所以对于设计工程师而言,就需要哪些因素主导着损耗的变化。 我们经常讨论PCB中损耗大小的问题。有的工程师就会问,哪些因为会影响损耗的大小呢?其实,最常见的答案通常会说PCB材料的损耗因子、PCB传输线的长度、铜箔粗糙度,...
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2021-10-12 |
【科普小贴士】什么是稳压二极管(齐纳二极管)
稳压二极管利用了pn结的反向特性。当提高pn结二极管的反向电压时,大电流在一定的电压下开始流动,并得到恒定的电压。(这种现象称为击穿,其电压称为击穿电压。) 稳压二极管积极利用了这一特性。由于这种击穿电压也被称为齐纳电压,所以稳压二极管也被称为齐纳二极管。该电压可用作恒压电源或电子电路的参考电压。
2021-10-12 |
通过分布式架构驱动下一代电动汽车系统
电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)正在不断演进,其中的电子设备同样也在发生变化。在这些车辆的整体构造和功能方面,越来越多的电子设备发挥着重要作用。但是,司机并没有改变。他们仍然希望自己的电动汽车和混合动力电动汽车能够顺利地行驶更远,变得更经济实惠,充电速度更快,并确保他们的安全。那么设计人员如何才能以更低的成本为他们提供更多服务? 随着对安全性、功率密度和电磁干扰(EMI)...
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2021-10-11 |
运算放大器的同相输入电压
同相输入电压 绝对最大额定值的同相输入电压是指,将+输入引脚(非反向输入引脚)与-输入引脚(反向输入引脚)设定为相同电位的状态下,在IC特性无退化、无损坏的前提下可施加的最大电压值。 绝对最大额定值的同相输入电压与电气特性项目中的同相输入电压范围不同,并不保证IC的正常工作。 期望IC进行正常工作时,需要满足电气特性项目的同相输入电压范围。 一般绝对最大额定值的同相输入电压为VEE-0.3[V...
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2021-10-09 |
【科普小贴士】什么是FRD(快速恢复二极管)?
快速恢复二极管的结构和功能与整流二极管相同。整流二极管用于500Hz以下的低频应用,而FRD则用于从几千赫兹到100kHz的高频开关。因此,二极管具有反向恢复时间(trr)很短的特性,这对高速开关非常重要。根据trr值,FRD也称为S-FRD、HED等。 一般整流二极管的trr为几微秒到几十微秒。另一方面,FRD的trr是几十毫微秒到几百毫微秒,约为整流二极管的1/100。它应用于开关电源、...
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2021-10-09 |
从10个知识点了解MOS管快速入门
1、三个极的判定 G极(gate)—栅极,不用说比较好认 S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是 D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边 2. N沟道与P沟道判别
2021-10-08 |
电路保护中的欠压/过压闭锁:使用比较器,实用巧设计
作者: Alan Yang,来源:得捷电子DigiKey 在电子设备的实际应用中,可能会遇到输入电压不稳的情况。例如使用电池的便携式设备应用,输入电压Vin可能很难保持非常稳定。为了防止电压过低或过高影响后续电路,有时有必要增加欠压/过压闭锁设计。 欠压闭锁(UVLO)/ 过压闭锁(OVLO)两个概念的定义如下: 欠压闭锁(UVLO),输入电压达到某一阈值,后续电路导通,...
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2021-10-08 |
【科普小贴士】整流二极管的正向特性(IF-VF特性)
整流二极管的正向特性随电流电平和温度的变化而变化。 在低电流区,VF在高温时较低,而在大电流区的情况则相反。 一般来说,使用二极管时,应在Q点(上述两种情况的交叉点)以下有足够的温度裕度。 (1)以载流子迁移为主的蓝色区域:VF随着温度的升高而降低。 由于载流子在受热时很容易移动,因此VF在高温时比低温时低。 (2)以载流子碰撞为主的红色区域:VF随着温度的升高而升高。 当大电流流动时,...
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2021-09-30 |
快速测量热敏电阻好坏的方法
本文主要分享一下简单快速测量热敏电阻好坏的方法。 笔者手头上这两颗电子元器件是电阻,准确来说它们是两只热敏电阻,只是封装形式不一样。 简单的说呢,热敏电阻就是说它的阻值会随着温度变化而变化。 那么通过这样的特性呢,我们就可以通过测量的时候人为加大温度来判定它是否正常。 接下来我们就跟大家演示一下。 热敏电阻呢,刚才说了,它是随着温度变化组织发生变化的,但是它分两类。一类是NTC,就是负温度系数的...
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2021-09-30 |
倍捷连接器PEI-Genesis庆祝成立75周年 “值得信赖的连接器专家”阔步新征程
美国宾夕法尼亚州费城倍捷连接器总部 今年,倍捷连接器(PEI-Genesis)迎来了公司成立75周年。1946年,Murray Fisher和Bernie Bernbaum两位挚友,在美国费城携手创建了费城电子公司,即倍捷连接器的前身。迄今为止,倍捷连接器的业务已遍布全球多个国家和地区,为全球航空、石油和天然气、工业、铁路和医疗等行业提供支持。在北美洲、欧洲和亚洲拥有4个自动化工厂,...
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2021-09-30 |
IGBT换流回路中杂散电感的测量
换流回路中的杂散电感会引起波形震荡,EMI或者电压过冲等问题。因此在电路设计的时候需要特别留意。本文给出了电路杂散电感的测量方法以及模块数据手册中杂散电感的定义方法。 图1为半桥电路的原理电路以及开关上管IGBT1时产生的电压和电流波形。作为集中参数显示的电路杂散电感Lσ,代表了整个回路(阴影区域)中的所有的分布电感(电容器、母线和IGBT模块)。 半桥电路以及开关IGBT1时的电流和电压波形...
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2021-09-30 |
晶体管BJT和MOSFET是如何工作的?
晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识,这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管:BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关,它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关,晶体管类似于继电器,...
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2021-09-29 |
运算放大器的代表性参数(差分输入电压)
差分输入电压 差分输入电压是指+输入引脚(非反向输入引脚)与-输入引脚(反向输入引脚)间在IC的特性无退化、无损坏的前提下可施加的最大电压值。 该电压既可以+输入引脚为基准,也可以-输入引脚为基准,表示两个引脚间的电压差。极性并非那么重要。 但是前提是各输入引脚的电位大于VEE引脚的电位。 原因是IC内置静电破坏保护元件,当输入引脚的电位低于VEE时,电流会通过静电破坏保护元件从引脚流出,...
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2021-09-28 |
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