技术

关于负载开关ON时的浪涌电流 负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。 这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。 浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。 浪涌电流显著变大时，... 阅读详情

作者： Digi-Key 工程师 Barley Li 热电偶是一种常见的无源传感元件，能够以可测量的方式响应温度。这些自供电元件无需激励，并且可以在较宽的温度范围（高达2000℃）内运行。它们可以快速响应，几乎不会产生严重系统延迟。 上述热电偶结构简单，由两根不同的金属线制成。得到的输出电压较小（对于K型而言，约为40 μV/℃），需要精确放大。否则外部噪声（... 阅读详情

对于有着远大抱负，并且试图决定专攻于特定领域的电气工程专业学生，我强烈建议他们考虑电力电子学。谈到工作保障，每个新的电气或电子产品都需要电源！不管你怎么想，由于被更小设备和更高效率所驱动着，这个领域充满了具有挑战性的工作和创新机会。。 它或许不像成为数字设计师那样令人着迷。但是，如果你决定不走寻常路，回馈你的是富有挑战性和创新性的工作，并且最终你会发现自己置身于一群数字弃儿组成的紧密社区。 ... 阅读详情

在高频领域，信号或电磁波必须沿着具有均匀特征阻抗的传输路径传播。一旦阻抗失配或不连续现象，一部分信号被反射回发送端，剩余部分电磁波将继续被传输到接收端。 信号反射和衰减的程度取决于阻抗不连续的程度。当失配阻抗幅度增加时，更大部分的信号会被反射，接收端观察到的信号衰减或劣化也就更多。 阻抗失配现象在交流耦合(又称隔直)电容的SMT焊盘、板到板连接器以及电缆到板连接器(如SMA)处经常会遇到。... 阅读详情

结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本） 结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法， *Rth(j-a)：结点-环境间的热电阻根据贴装的电路板的不同而不同。 向敝公司标准的电路板上贴装时的值表示为 "代表性封装的电阻值" 。 Rth(j-a)的值根据各个晶体管的不同而不同，但如果封装相同，可以认为该值几乎是很接近的值。 **功耗不固定，... 阅读详情

上篇解释英飞凌IGBT模块命名规则的文章：英飞凌IGBT模块命名规则。我司作为IGBT大厂，除了种类繁多的模块型号，还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑，封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。 IGBT单管以时间为界，有两套体系 对于2013年3月份之前release的器件，命名规则如下图。主要传达的信息有：芯片种类（是否有续流二极管）+封装形式+电流等级... 阅读详情

SBD是由半导体与金属的接合形成的单极器件。原则上，SBD没有反向恢复时间，不像使用pn结二极管会引起问题。因此，SBD有助于大幅度降低关断时的开关损耗。 因为传导是由空穴和电子引起的，所以pn结二极管是双极的。pn结二极管具有反向恢复时间，因为在关断期间少数载流子（p层中的电子和n层中的空穴）会保留在结处。相反，单极的SBD没有反向恢复时间。但由于金属和半导体接合处的耗尽区具有电容，... 阅读详情