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MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已经无法忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。... 阅读详情

在一些工业应用中，往往会用到很多电容器组，会配置速断、过流、过压、失压等保护，但是还是会出现因电容器故障而导致跳闸的现象，这究竟是怎么回事呢，该如何解决？ 电容器组故障分析 电容器组采用常用的星型接线方式，三相共体外壳接于同一铁框架，框架接地。电容器内部结构为多个元件并联的四串结构，并设置内熔丝保护，检修人员与厂家人员对损坏的电容器进行解剖，发现受损电容器的A、B相内熔丝均熔断了两根，外包封破裂... 阅读详情

STM32F103RCT6的匹配电容问题导致RTC晶振不起振 有个项目用了STM32F103RCT6，有万年历的需求，因为公司要省钱，所以不打算用RTC芯片，就直接用了MCU自带的RTC功能，调试的时候发现MCU所有功能都正常，就RTC晶振不起振，换了好几个品牌的晶振，都不能正常起振。 看看官方有没有详细的说明，就去找了芯片规格书，规格书只写了LSE输入电容典型值是5pF，其他就没有更多的信息了... 阅读详情

Diodes 宣布针对汽车应用推出 16 位 PI4IOE5V6416Q 及 34 位 PI4IOE5V6534Q 双向电压电位转换通用 I/O (GPIO) 扩充器。这些符合汽车规格与取得 AEC-Q100 Grade 2 认证的双电压轨装置，代表用于汽车业的首创之举，透过 I2C 接口为新世代低电压微处理器及微控制器，提供更强大的可编程 I/O。 作为 Diodes... 阅读详情

文章来源：硬件十万个为什么 1、DDR系统的三种电源 对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。 A、主电源VDD和VDDQ 主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。 有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。... 阅读详情

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Qorvo®的 QPL181x系列CATV 放大器。QPL181x 放大器是砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT) CATV 射频放大器，可为50 MHz至1800 MHz电缆频谱内的设计和应用提供节省空间的选择。其应用包括电缆调制解调器、光节点和机顶盒，以及DOCSIS 4.0、光纤到户 (FTTH)、... 阅读详情

零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零，欧姆电阻实际是电阻值很小的电阻。 电路板设计中两点不能用印刷电路连接，常在正面用跨线连接，这在普通板中经常看到，为了让自动贴片机和自动插件机正常工作，用零电阻代替跨线。 用在单面PCB板上做跨线的O欧姆电阻 零欧姆电阻的作用总结可以包括以下作用：